MOSFET N-CH 30V 20A POLARPAK

STMicroelectronics

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:STripFET™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:20A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:7.8 毫欧 @ 10A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13.4nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1380pF @ 25V,功率 - 最大值:5.2W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:PolarPak®,供应商器件封装:PolarPak®

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